Efeito do encapsulamento em um VDMOSFET sob feixes de raios X usados em diagnóstico médico

Resumo

O dispositivo eletrônico MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) é conhecido como um detector de radiação ionizante, principalmente em feixes de radioterapia. Recentemente um tipo de MOSFET já foi utilizado também em feixes de radiodiagnóstico médico, cuja faixa de energia é significativamente inferior à faixa de energia normalmente utilizada em radioterapia. Este trabalho traz um estudo científico da utilização de um VDMOSFET (VD = Vertical Double Diffused) e sua resposta aos feixes de raios X normalmente usados em diagnóstico médico. O VDMOSFET escolhido para a análise é fabricado em pelo menos dois tipos de encapsulamento diferentes e foi isso que permitiu desenvolver este trabalho. Os resultados mostraram que, embora a pastilha de silício seja exatamente a mesma, ou seja, o dispositivo eletrônico em si ter características elétricas idênticas, a resposta de cada um com seus respectivos encapsulamentos é diferente. O efeito do encapsulamento sugere que o VDMOSFET possa ser utilizado em processos de mensuração de parâmetros de tubo de raios X aplicado ao diagnóstico médico resultando em avanços tecnológicos na área das radiações ionizantes aplicadas em medicina.