Análise de parâmetros π-híbridos de um MOSFET com encapsulamento TO-220 sob feixes de raios X para diagnóstico médico
DOI:
https://doi.org/10.14808/sci.plena.2020.124801Palavras-chave:
MOSFET, parâmetro π-híbrido, raios XResumo
Nas últimas décadas o MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) tem sido utilizado como detector de radiação ionizante, principalmente em aplicações dosimétricas em radioterapia. A base do método de funcionamento de tal dispositivo eletrônico em radioterapia consiste em mensurar a variação da tensão de limiar do MOSFET, pois este parâmetro elétrico é proporcional à dose de radiação ionizante depositada no dispositivo. O objetivo deste trabalho é apresentar um método inovador de medição da dose de radiação ionizante por meio da medição da variação de alguns parâmetros π-híbridos de um MOSFET. Foram analisados apenas transistores com encapsulamento TO-220 e dois tipos de polaridades distintas: canal n e canal p. Os dispositivos foram submetidos aos feixes de raios X cuja energia está na faixa aplicada ao diagnóstico médico. Os resultados mostraram que os parâmetros π-híbridos transcondutância e uma capacitância variam com a dose acumulada de radiação até o limite de 100 Gy.
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