Sousa OM, Melo AHN, Freitas SM. Uma avaliação dos potencias LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores: ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando a teoria funcional da densidade. Sci. Plena [Internet]. 9º de junho de 2017 [citado 29º de abril de 2024];13(3). Disponível em: https://scientiaplena.org.br/sp/article/view/3573