SOUSA, O. M.; MELO, A. H. N.; FREITAS, S. M. Uma avaliação dos potencias LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJ original, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutor em cálculos dos band gaps dos semicondutores: ZnO, GaN, TiO2 e SnO2 utilizando a teoria funcional da densidade. Scientia Plena, [S. l.], v. 13, n. 3, 2017. DOI: 10.14808/sci.plena.2017.034801. Disponível em: https://scientiaplena.org.br/sp/article/view/3573. Acesso em: 29 abr. 2024.