Avaliação da resposta de fototransistores bipolares SMT como detectores em feixes de fótons de megavoltagem gerados por um acelerador linear - da Silva, J. O.; de Magalhães, C. M. S.; A. Filho, J.; dos Santos, L. A. P.; Santos, W. M. (Scientia Plena, 2011)
Fototransistores bipolares comerciais têm sido usados como detectores de radiação ionizante em feixes de raios-X de baixa energia. Contudo, quando são usados em feixes de raios-x de alta energia, ocorre certa perda de sensibilidade à radiação ionizante. Este dano é cumulativo e irreversível. Existem certos fatores que produzem variações na resposta do fototransistor quando está sob radiação ionizante de alta energia, como sua tecnologia de fabricação e suas características elétricas. O objetivo deste trabalho é apresentar resultados experimentais que são usados para correlacionar as curvas de resposta de fototransistores bipolares SMT (Surface-Mount Technology) com sua perda de sensibilidade após a irradiação com feixes de megavoltagem produzidos por um Linac (acelerador linear).